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GE DS200IIBDG1AEA Treiberplatine für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate. Schnelle Lieferzeit

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GE DS200IIBDG1AEA Treiberplatine für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate. Schnelle Lieferzeit

GE DS200IIBDG1AEA ist eine IGBT-Treiberplatine (Insulated Gate Bipolar Transistor). Es ist Teil des GE SPEEDTRONIC Mark V-Gasturbinensteuerungssystems, das speziell für GE-Gas- und Dampfturbinen entwickelt wurde. Die IGBT-Treiberplatine ist für den Antrieb der IGBTs verantwortlich, die die Leistung des Generators steuern.

    Das DS200IIBDG1AEA ist ein Hochleistungsboard, das für den Betrieb in anspruchsvollen Industrieumgebungen konzipiert ist. Es kann mit hohen Strömen und Spannungen umgehen und ist resistent gegen Stöße, Vibrationen und elektromagnetische Störungen. Die Platine ist außerdem vollständig redundant, das heißt, sie verfügt über zwei unabhängige Schaltkreise, die im Fehlerfall unabhängig voneinander arbeiten können.

    Der DS200IIBDG1AEA wird in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, darunter Stromerzeugung, Öl und Gas sowie Schifffahrt. Es ist eine entscheidende Komponente des SPEEDTRONIC Mark V-Steuerungssystems und spielt eine entscheidende Rolle bei der Gewährleistung des sicheren und zuverlässigen Betriebs von Gasturbinen.

    Hier ist eine Zusammenfassung der wichtigsten Funktionen des GE DS200IIBDG1AEA:

    • Treiberplatine für isolierte Gate-Bipolartransistoren (IGBT).
    • Teil des GE SPEEDTRONIC Mark V-Gasturbinensteuerungssystems
    • Treibt die IGBTs an, die die Leistung des Generators steuern
    • Hochleistungsplatine für anspruchsvolle Industrieumgebungen
    • Kann hohe Ströme und Spannungen verarbeiten
    • Beständig gegen Stöße, Vibrationen und elektromagnetische Störungen
    • Vollständig redundant mit zwei unabhängigen Schaltkreisen

    Ich hoffe, diese Informationen sind hilfreich. Bitte lassen Sie mich wissen, wenn Sie weitere Fragen haben.

    03.10.2023

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