Inquiry
Form loading...
Toshiba wprowadza transoptor o wysokim szczytowym prądzie wyjściowym w cienkiej obudowie do napędu bramki IGBT / MOSFET

Wiadomości Firmowe

Toshiba wprowadza transoptor o wysokim szczytowym prądzie wyjściowym w cienkiej obudowie do napędu bramki IGBT / MOSFET

2023-12-08
30 listopada firma Toshiba Electronic Components and Storage Devices Co., Ltd. („Toshiba”) ogłosiła, że ​​wprowadziła na rynek dwa transoptory w cienkiej obudowie SO6L – „tlp5705h” i „tlp5702h”, które mogą być używane jako izolowany układ scalony napędu bramki w małych IGBT/MOSFET. Te dwa urządzenia zaczynają już dziś obsługiwać wysyłkę wsadową. 1 Tlp5705h to pierwszy produkt firmy Toshiba zapewniający szczytowy prąd wyjściowy ± 5,0 A w cienkiej obudowie (SO6L) o grubości zaledwie 2,3 mm (maksymalnie). Małe i średnie falowniki oraz serwowzmacniacze, które tradycyjnie wykorzystują obwody buforowe do wzmacniania prądu, mogą teraz sterować swoimi IGBT/MOSFET bezpośrednio przez transoptor, bez żadnego bufora. Pomoże to zmniejszyć liczbę komponentów i zminiaturyzować projekt. Szczytowy prąd wyjściowy tlp5702h wynosi ± 2,5 A. Pakiet SO6L jest kompatybilny z padem tradycyjnego pakietu sdip6 firmy Toshiba [1], który z łatwością zastępuje istniejące produkty Toshiby [2]. SO6L jest cieńszy niż sdip6, co może zapewnić większą elastyczność w zakresie rozmieszczenia komponentów płytki drukowanej, wspierać montaż płytki drukowanej z tyłu lub można go wykorzystać do projektowania nowych obwodów z bardzo ograniczoną liczbą urządzeń. Maksymalna temperatura robocza obu transoptorów sięga 125 ℃ (TA = - 40 ℃ do 125 ℃), co ułatwia projektowanie i utrzymanie marginesu temperatury. Ponadto ta sama seria urządzeń dostarczana przez firmę Toshiba obejmuje również modele tlp5702h (LF4) i tlp5705h (LF4), które wykorzystują opcję formowania ołowiowego w obudowie SO6L (LF4). Aplikacja: sprzęt przemysłowy -Inwerter przemysłowy, sterownik serwo AC, falownik fotowoltaiczny, UPS itp. Charakterystyka: -Wysoki szczytowy prąd wyjściowy (@ TA = - 40 ℃ do 125 ℃) IOP=±2,5A(TLP5702H) IOP=±5,0A(TLP5705H) -Cienka obudowa SO6L -Wysoka temperatura robocza: TOPR (maksymalna) = 125 ℃ 2